itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SQJA60EP-T1_GE3
Gyártási szám | SQJA60EP-T1_GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SQJA60EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJA60EP-T1_GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 45W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJA60EP-T1_GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SQJA60EP-T1_GE3-FT |
2N6660-2
Vishay Siliconix
2N6660-E3
Vishay Siliconix
2N6660JTVP02
Vishay Siliconix
2N6660JTX02
Vishay Siliconix
2N6660JTXL02
Vishay Siliconix
2N6660JTXP02
Vishay Siliconix
2N6660JTXV02
Vishay Siliconix
2N6661-2
Vishay Siliconix
2N6661-E3
Vishay Siliconix
2N6661JAN02
Vishay Siliconix