itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / 2N6661-E3
Gyártási szám | 2N6661-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-2N6661-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
2N6661-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 90V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 860mA (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-39 |
Csomag / eset | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6661-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | 2N6661-E3-FT |
SUM110P06-08L-E3
Vishay Siliconix
SUM55P06-19L-E3
Vishay Siliconix
SIHB30N60AEL-GE3
Vishay Siliconix
SQM50P03-07_GE3
Vishay Siliconix
SUM110N04-03P-E3
Vishay Siliconix
SUM110N04-04-E3
Vishay Siliconix
SUM52N20-39P-E3
Vishay Siliconix
SIHB22N60AE-GE3
Vishay Siliconix
SQM100N02-3M5L_GE3
Vishay Siliconix
SQM100N10-10_GE3
Vishay Siliconix
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel