itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SQD50P08-25L_GE3
Gyártási szám | SQD50P08-25L_GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SQD50P08-25L_GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQD50P08-25L_GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 10.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 137nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 5350pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 136W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | TO-252AA |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQD50P08-25L_GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SQD50P08-25L_GE3-FT |
SIHU6N80E-GE3
Vishay Siliconix
SIHU6N65E-GE3
Vishay Siliconix
SISH110DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH112DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH116DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH615ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH108DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH114ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH407DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISH472DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation