itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SISH407DN-T1-GE3
Gyártási szám | SISH407DN-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SISH407DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SISH407DN-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 15.4A (Ta), 25A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 15.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 93.8nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2760pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.6W (Ta), 33W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® 1212-8SH |
Csomag / eset | PowerPAK® 1212-8SH |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISH407DN-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SISH407DN-T1-GE3-FT |
SI3442CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3445ADV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3445ADV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3445DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3445DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3446ADV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3446ADV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3447BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3447BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3447CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel