itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHB30N60E-GE3
Gyártási szám | SIHB30N60E-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHB30N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
SIHB30N60E-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 250W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D2PAK |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHB30N60E-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHB30N60E-GE3-FT |
IRFBC30STRR
Vishay Siliconix
IRFBC40AS
Vishay Siliconix
IRFBC40ASTRL
Vishay Siliconix
IRFBC40ASTRR
Vishay Siliconix
IRFBC40LCS
Vishay Siliconix
IRFBC40LCSTRL
Vishay Siliconix
IRFBC40LCSTRR
Vishay Siliconix
IRFBC40S
Vishay Siliconix
IRFBC40STRL
Vishay Siliconix
IRFBC40STRR
Vishay Siliconix
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel