itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHW30N60E-GE3
Gyártási szám | SIHW30N60E-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHW30N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
SIHW30N60E-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 250W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-247AD |
Csomag / eset | TO-3P-3 Full Pack |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHW30N60E-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHW30N60E-GE3-FT |
SUD50N02-09P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N025-06P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N03-06P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N03-09P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N03-09P-GE3
Vishay Siliconix
SUD50N03-11-E3
Vishay Siliconix
SUD50N03-12P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N03-12P-GE3
Vishay Siliconix
SUD50N03-16P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N03-16P-GE3
Vishay Siliconix
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel