itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SUD50N03-09P-E3
Gyártási szám | SUD50N03-09P-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SUD50N03-09P-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SUD50N03-09P-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 63A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 7.5W (Ta), 65.2W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | TO-252, (D-Pak) |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD50N03-09P-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SUD50N03-09P-E3-FT |
SI8821EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8465DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8424CDB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8425DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8467DB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8800EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
SI8429DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8409DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8413DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8401DB-T1-E1
Vishay Siliconix
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel