itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHP21N60EF-GE3
Gyártási szám | SIHP21N60EF-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHP21N60EF-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
SIHP21N60EF-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 176 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2030pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 227W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-220AB |
Csomag / eset | TO-220-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHP21N60EF-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHP21N60EF-GE3-FT |
SI3473CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3473DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3473DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3473DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3474DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3475DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3475DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3477DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3481DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3481DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel