itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI3812DV-T1-GE3
Gyártási szám | SI3812DV-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI3812DV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | LITTLE FOOT® |
SI3812DV-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | Schottky Diode (Isolated) |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 830mW (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 6-TSOP |
Csomag / eset | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3812DV-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI3812DV-T1-GE3-FT |
SI3493BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3417DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3424CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3443DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ3461EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI3407DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3424BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3437DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3443CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3456DDV-T1-E3
Vishay Siliconix
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel