itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHG47N60E-GE3
Gyártási szám | SIHG47N60E-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHG47N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
SIHG47N60E-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 9620pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 357W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-247AC |
Csomag / eset | TO-247-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHG47N60E-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHG47N60E-GE3-FT |
SUD50N025-06P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N03-06P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N03-09P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N03-09P-GE3
Vishay Siliconix
SUD50N03-11-E3
Vishay Siliconix
SUD50N03-12P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N03-12P-GE3
Vishay Siliconix
SUD50N03-16P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N03-16P-GE3
Vishay Siliconix
SUD50N04-05L-E3
Vishay Siliconix
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel