itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHG23N60E-GE3
Gyártási szám | SIHG23N60E-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHG23N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | E |
SIHG23N60E-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2418pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 227W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TA) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-247AC |
Csomag / eset | TO-247-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHG23N60E-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHG23N60E-GE3-FT |
SQD23N06-31L_GE3
Vishay Siliconix
SQD40N10-25_GE3
Vishay Siliconix
SUD19P06-60-E3
Vishay Siliconix
SUD50N03-06AP-E3
Vishay Siliconix
SUD50P04-08-GE3
Vishay Siliconix
SUD50P04-09L-E3
Vishay Siliconix
SQD45N05-20L-GE3
Vishay Siliconix
SUD50P06-15L-E3
Vishay Siliconix
SUD50P06-15L-T4-E3
Vishay Siliconix
SUD50P10-43L-E3
Vishay Siliconix
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel