itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SQD40N10-25_GE3
Gyártási szám | SQD40N10-25_GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SQD40N10-25_GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SQD40N10-25_GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 3380pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 136W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | TO-252, (D-Pak) |
Csomag / eset | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQD40N10-25_GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SQD40N10-25_GE3-FT |
SQJ412EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ414EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ416EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ418EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ420EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ443EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ456EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ461EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ464EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel