itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIE810DF-T1-GE3
Gyártási szám | SIE810DF-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIE810DF-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIE810DF-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 10-PolarPAK® (L) |
Csomag / eset | 10-PolarPAK® (L) |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIE810DF-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIE810DF-T1-GE3-FT |
SIA811DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA811DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA814DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA850DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHS20N50C-E3
Vishay Siliconix
SIHS90N65E-E3
Vishay Siliconix
SIHW61N65EF-GE3
Vishay Siliconix
SQJ858AEP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI5415AEDU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA461DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel