itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIDR626DP-T1-GE3
Gyártási szám | SIDR626DP-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIDR626DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® Gen IV |
SIDR626DP-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 42.8A (Ta), 100A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 5130pF @ 30V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8DC |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIDR626DP-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIDR626DP-T1-GE3-FT |
SQM10250E_GE3
Vishay Siliconix
SQM110P04-04L-GE3
Vishay Siliconix
SQM110P06-8M9L_GE3
Vishay Siliconix
SQM120N04-1M7_GE3
Vishay Siliconix
SQM120N04-1M9_GE3
Vishay Siliconix
SQM120N06-06_GE3
Vishay Siliconix
SQM120N10-09_GE3
Vishay Siliconix
SQM120N10-3M8_GE3
Vishay Siliconix
SQM120P10_10M1LGE3
Vishay Siliconix
SQM25N15-52_GE3
Vishay Siliconix
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation