itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIB422EDK-T1-GE3
Gyártási szám | SIB422EDK-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIB422EDK-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIB422EDK-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2.5W (Ta), 13W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SC-75-6L Single |
Csomag / eset | PowerPAK® SC-75-6L |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIB422EDK-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIB422EDK-T1-GE3-FT |
SIA429DJT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA430DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA433EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA437DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA439EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA440DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA443DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA443DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA444DJT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA445EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel