itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIA439EDJ-T1-GE3
Gyártási szám | SIA439EDJ-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIA439EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIA439EDJ-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2410pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Csomag / eset | PowerPAK® SC-70-6 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA439EDJ-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIA439EDJ-T1-GE3-FT |
SQ4470EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4840EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4850EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ9407EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
TPC8014(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8018-H(TE12LQM)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8021-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8022-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8026(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8031-H(TE12LQM)
Toshiba Semiconductor and Storage
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel