itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIB417AEDK-T1-GE3
Gyártási szám | SIB417AEDK-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIB417AEDK-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SIB417AEDK-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±5V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 878pF @ 4V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SC-75-6L Single |
Csomag / eset | PowerPAK® SC-75-6L |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIB417AEDK-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIB417AEDK-T1-GE3-FT |
SIA106DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA110DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA469DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIAA00DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA438EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA406DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA408DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA411DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA411DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA416DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel