itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIA106DJ-T1-GE3
Gyártási szám | SIA106DJ-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIA106DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® Gen IV |
SIA106DJ-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 12A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 30V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Csomag / eset | PowerPAK® SC-70-6 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA106DJ-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIA106DJ-T1-GE3-FT |
SI4886DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4886DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4888DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4888DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4890BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4892DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4892DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4896DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4896DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI9410BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel