itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIDR638DP-T1-GE3
Gyártási szám | SIDR638DP-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIDR638DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® Gen IV |
SIDR638DP-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.88 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 204nC @ 10V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 10500pF @ 20V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 125W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8DC |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIDR638DP-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIDR638DP-T1-GE3-FT |
SQM30010EL_GE3
Vishay Siliconix
SQM40010EL_GE3
Vishay Siliconix
SQM40022E_GE3
Vishay Siliconix
SQM40061EL_GE3
Vishay Siliconix
SQM40N10-30_GE3
Vishay Siliconix
SQM40N15-38_GE3
Vishay Siliconix
SQM40P10-40L_GE3
Vishay Siliconix
SQM50020EL_GE3
Vishay Siliconix
SQM50N04-4M0L_GE3
Vishay Siliconix
SQM50P06-15L_GE3
Vishay Siliconix
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel