itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI7452DP-T1-GE3
Gyártási szám | SI7452DP-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI7452DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI7452DP-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 19.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.9W (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7452DP-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI7452DP-T1-GE3-FT |
SIR182DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR186DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR188DP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR606BDP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR626LDP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR826BDP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIR878BDP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA02DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA04DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA06DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel