itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIR188DP-T1-RE3
Gyártási szám | SIR188DP-T1-RE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIR188DP-T1-RE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® Gen IV |
SIR188DP-T1-RE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 25.5A (Ta), 60A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.85 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1920pF @ 30V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SO-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® SO-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR188DP-T1-RE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIR188DP-T1-RE3-FT |
SI7478DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7846DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7850DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR410DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7141DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7450DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7469DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR426DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA00DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7456DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel