itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHB22N60ET1-GE3
Gyártási szám | SIHB22N60ET1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHB22N60ET1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | E |
SIHB22N60ET1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1920pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 227W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | TO-263 (D²Pak) |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHB22N60ET1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHB22N60ET1-GE3-FT |
IRFBC20STRL
Vishay Siliconix
IRFBC20STRR
Vishay Siliconix
IRFBC30AS
Vishay Siliconix
IRFBC30ASTRL
Vishay Siliconix
IRFBC30ASTRR
Vishay Siliconix
IRFBC30ASTRRPBF
Vishay Siliconix
IRFBC30S
Vishay Siliconix
IRFBC30STRL
Vishay Siliconix
IRFBC30STRR
Vishay Siliconix
IRFBC40AS
Vishay Siliconix
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel