itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SIHB22N60ET1-GE3
Gyártási szám | SIHB22N60ET1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SIHB22N60ET1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | E |
SIHB22N60ET1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1920pF @ 100V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 227W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | TO-263 (D²Pak) |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHB22N60ET1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SIHB22N60ET1-GE3-FT |
IRFBC20STRL
Vishay Siliconix
IRFBC20STRR
Vishay Siliconix
IRFBC30AS
Vishay Siliconix
IRFBC30ASTRL
Vishay Siliconix
IRFBC30ASTRR
Vishay Siliconix
IRFBC30ASTRRPBF
Vishay Siliconix
IRFBC30S
Vishay Siliconix
IRFBC30STRL
Vishay Siliconix
IRFBC30STRR
Vishay Siliconix
IRFBC40AS
Vishay Siliconix