itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI7102DN-T1-E3
Gyártási szám | SI7102DN-T1-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI7102DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI7102DN-T1-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 15A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 3720pF @ 6V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® 1212-8 |
Csomag / eset | PowerPAK® 1212-8 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7102DN-T1-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI7102DN-T1-E3-FT |
SQA401EEJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQA401EJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQA405EJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQA410EJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQA442EJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQA470EEJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQA470EJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI5429DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5857DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5857DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel