itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SQA410EJ-T1_GE3
Gyártási szám | SQA410EJ-T1_GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SQA410EJ-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQA410EJ-T1_GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 7.8A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 485pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 13.6W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Csomag / eset | PowerPAK® SC-70-6 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQA410EJ-T1_GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SQA410EJ-T1_GE3-FT |
TPC8110(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8111(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8113(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8115(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8126,LQ(CM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8A02-H(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8A05-H(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8A06-H(TE12LQM)
Toshiba Semiconductor and Storage
ZDS020N60TB
Rohm Semiconductor
MCQ12N06-TP
Micro Commercial Co