itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI5475DC-T1-GE3
Gyártási szám | SI5475DC-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI5475DC-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI5475DC-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 1mA (Min) |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.3W (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 1206-8 ChipFET™ |
Csomag / eset | 8-SMD, Flat Lead |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5475DC-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI5475DC-T1-GE3-FT |
SI1058X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1058X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1065X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1065X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1067X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1067X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1069X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1069X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1070X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1071X-T1-E3
Vishay Siliconix
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel