itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI1069X-T1-E3
Gyártási szám | SI1069X-T1-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI1069X-T1-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI1069X-T1-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | - |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 184 mOhm @ 940mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 6.86nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 308pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 236mW (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | SC-89-6 |
Csomag / eset | SOT-563, SOT-666 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1069X-T1-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI1069X-T1-E3-FT |
SIE848DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE854DF-T1-E3
Vishay Siliconix
SIE854DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE860DF-T1-E3
Vishay Siliconix
SIE860DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE862DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE874DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE876DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE878DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE882DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel