itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI5402DC-T1-GE3
Gyártási szám | SI5402DC-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI5402DC-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI5402DC-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.3W (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 1206-8 ChipFET™ |
Csomag / eset | 8-SMD, Flat Lead |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5402DC-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI5402DC-T1-GE3-FT |
SIS778DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS780DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA96DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISS98DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ7414AENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS401ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS405EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS405ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS423EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS462EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel