itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI3483CDV-T1-E3
Gyártási szám | SI3483CDV-T1-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI3483CDV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI3483CDV-T1-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 6.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TA) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 6-TSOP |
Csomag / eset | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3483CDV-T1-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI3483CDV-T1-E3-FT |
2N6661JTXV02
Vishay Siliconix
VP0808B
Vishay Siliconix
VP0808B-2
Vishay Siliconix
VP0808B-E3
Vishay Siliconix
VP1008B
Vishay Siliconix
SIDR626DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR668DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR870ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR140DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIDR390DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation