itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI3430DV-T1-GE3
Gyártási szám | SI3430DV-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI3430DV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
SI3430DV-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.14W (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 6-TSOP |
Csomag / eset | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3430DV-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI3430DV-T1-GE3-FT |
SI5468DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5441BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5424DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5443DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5443DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5414DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5424DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5401DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5402BDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5402BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation