itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI5424DC-T1-E3
Gyártási szám | SI5424DC-T1-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI5424DC-T1-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI5424DC-T1-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 4.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 2.5W (Ta), 6.25W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 1206-8 ChipFET™ |
Csomag / eset | 8-SMD, Flat Lead |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5424DC-T1-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI5424DC-T1-E3-FT |
SIS415DNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS444DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS447DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS472ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS488DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS496EDNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS612EDNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS626DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS698DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS778DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel