itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI1308EDL-T1-GE3
Gyártási szám | SI1308EDL-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI1308EDL-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI1308EDL-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 132 mOhm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 105pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 400mW (Ta), 500mW (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | SOT-323 |
Csomag / eset | SC-70, SOT-323 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1308EDL-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI1308EDL-T1-GE3-FT |
SIB414DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB415DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB417DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB419DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB422EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB433EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB455EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB456DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB457EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB488DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel