itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI1307DL-T1-GE3
Gyártási szám | SI1307DL-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI1307DL-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI1307DL-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 850mA (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 290mW (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | SC-70-3 |
Csomag / eset | SC-70, SOT-323 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1307DL-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI1307DL-T1-GE3-FT |
SQS482EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQS484EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SI7153DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA01DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA66DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS429DNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS822DNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7102DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7111EDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS415DNT-T1-GE3
Vishay Siliconix