itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI1302DL-T1-E3
Gyártási szám | SI1302DL-T1-E3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI1302DL-T1-E3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI1302DL-T1-E3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 600mA (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 600mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 280mW (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | SC-70-3 |
Csomag / eset | SC-70, SOT-323 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1302DL-T1-E3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI1302DL-T1-E3-FT |
SIB415DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB417DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB419DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB422EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB433EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB455EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB456DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB457EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB488DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB800EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix