itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / RJK0330DPB-01#J0
Gyártási szám | RJK0330DPB-01#J0 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-RJK0330DPB-01#J0 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
RJK0330DPB-01#J0 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 45A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 22.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 55W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | LFPAK |
Csomag / eset | SC-100, SOT-669 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK0330DPB-01#J0 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | RJK0330DPB-01#J0-FT |
RS1E320GNTB
Rohm Semiconductor
2SK1835-E
Renesas Electronics America
2SK1317-E
Renesas Electronics America
2SJ162-E
Renesas Electronics America
2SK1058-E
Renesas Electronics America
2SK1339-E
Renesas Electronics America
2SK1340-E
Renesas Electronics America
2SK1341-E
Renesas Electronics America
2SK1342-E
Renesas Electronics America
2SK1518-E
Renesas Electronics America
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel