itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / 2SK1317-E
Gyártási szám | 2SK1317-E |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-2SK1317-E |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
2SK1317-E Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1500V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 2A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 990pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 100W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-3P |
Csomag / eset | TO-3P-3, SC-65-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK1317-E Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | 2SK1317-E-FT |
RF4E070GNTR
Rohm Semiconductor
RF4E075ATTCR
Rohm Semiconductor
RF4E080BNTR
Rohm Semiconductor
RF4E110BNTR
Rohm Semiconductor
RF4E110GNTR
Rohm Semiconductor
RF4E070BNTR
Rohm Semiconductor
RQ3C150BCTB
Rohm Semiconductor
RQ3E100BNTB
Rohm Semiconductor
RQ3E100MNTB1
Rohm Semiconductor
RQ3E120GNTB
Rohm Semiconductor
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel