itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / PMN28UN,165
Gyártási szám | PMN28UN,165 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-PMN28UN,165 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchMOS™ |
PMN28UN,165 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 10.1nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.75W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | 6-TSOP |
Csomag / eset | SC-74, SOT-457 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMN28UN,165 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | PMN28UN,165-FT |
SI2324DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2327DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2327DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2329DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2331DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2331DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2333CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2333DDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2334DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2335DS-T1-E3
Vishay Siliconix
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel