itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / SI2333DDS-T1-GE3
Gyártási szám | SI2333DDS-T1-GE3 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-SI2333DDS-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | TrenchFET® |
SI2333DDS-T1-GE3 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1275pF @ 6V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | SOT-23-3 (TO-236) |
Csomag / eset | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2333DDS-T1-GE3 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | SI2333DDS-T1-GE3-FT |
BSS139 E6327
Infineon Technologies
BSS139 E6906
Infineon Technologies
BSS139L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS139L6906HTSA1
Infineon Technologies
BSS159N E6327
Infineon Technologies
BSS159N E6906
Infineon Technologies
BSS159NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS159NH6327XTSA2
Infineon Technologies
BSS159NH6906XTSA1
Infineon Technologies
BSS159NL6327HTSA1
Infineon Technologies
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.