itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IRFH8318TR2PBF
Gyártási szám | IRFH8318TR2PBF |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IRFH8318TR2PBF |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | HEXFET® |
IRFH8318TR2PBF Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 27A (Ta), 120A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 3180pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.6W (Ta), 59W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PQFN (5x6) |
Csomag / eset | 8-PowerTDFN |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH8318TR2PBF Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IRFH8318TR2PBF-FT |
BSC100N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC100N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC100N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC105N10LSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC106N025S G
Infineon Technologies
BSC109N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC110N06NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC110N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC117N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC118N10NSGATMA1
Infineon Technologies
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel