itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / BSC105N10LSFGATMA1
Gyártási szám | BSC105N10LSFGATMA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-BSC105N10LSFGATMA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
BSC105N10LSFGATMA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Not For New Designs |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 11.4A (Ta), 90A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 110µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 50V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 156W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TDSON-8 |
Csomag / eset | 8-PowerTDFN |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC105N10LSFGATMA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | BSC105N10LSFGATMA1-FT |
BSC009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC009NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
BSC011N03LSIATMA1
Infineon Technologies
BSC014N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC014N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC014N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSC015NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
BSC016N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC016N03MSGATMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel