itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPB80N06S2L09ATMA1
Gyártási szám | IPB80N06S2L09ATMA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPB80N06S2L09ATMA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPB80N06S2L09ATMA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Discontinued at Future Semiconductor |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 52A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 125µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 2620pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 190W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TO263-3-2 |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB80N06S2L09ATMA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPB80N06S2L09ATMA1-FT |
IPB50R199CPATMA1
Infineon Technologies
IPB50R250CPATMA1
Infineon Technologies
IPB50R299CPATMA1
Infineon Technologies
IPB530N15N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB60R060P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R080P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R099CPAATMA1
Infineon Technologies
IPB60R099CPATMA1
Infineon Technologies
IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R120P7ATMA1
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel