itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPB60R099P7ATMA1
Gyártási szám | IPB60R099P7ATMA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPB60R099P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | CoolMOS™ P7 |
IPB60R099P7ATMA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 31A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 10.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 530µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1952pF @ 400V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 117W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D²PAK (TO-263AB) |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB60R099P7ATMA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPB60R099P7ATMA1-FT |
IPB06N03LB G
Infineon Technologies
IPB070N06L G
Infineon Technologies
IPB072N15N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB073N15N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB075N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB080N06N G
Infineon Technologies
IPB083N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB083N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB085N06L G
Infineon Technologies
IPB08CN10N G
Infineon Technologies