itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPB79CN10N G
Gyártási szám | IPB79CN10N G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPB79CN10N G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPB79CN10N G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 79 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 12µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 716pF @ 50V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 31W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D²PAK (TO-263AB) |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB79CN10N G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPB79CN10N G-FT |
IPB156N22NFDATMA1
Infineon Technologies
IPB16CN10N G
Infineon Technologies
IPB17N25S3100ATMA1
Infineon Technologies
IPB200N15N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB200N25N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB22N03S4L15ATMA1
Infineon Technologies
IPB230N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPB25N06S3-25
Infineon Technologies
IPB25N06S3L-22
Infineon Technologies
IPB260N06N3GATMA1
Infineon Technologies