itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPB16CN10N G
Gyártási szám | IPB16CN10N G |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPB16CN10N G |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPB16CN10N G Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 53A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 53A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 61µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 3220pF @ 50V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 100W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | D²PAK (TO-263AB) |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB16CN10N G Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPB16CN10N G-FT |
IPB039N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB03N03LA
Infineon Technologies
IPB03N03LA G
Infineon Technologies
IPB03N03LB
Infineon Technologies
IPB03N03LB G
Infineon Technologies
IPB041N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB042N10N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB048N06LGATMA1
Infineon Technologies
IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB048N15N5LFATMA1
Infineon Technologies