itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / IPB77N06S212ATMA1
Gyártási szám | IPB77N06S212ATMA1 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-IPB77N06S212ATMA1 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | OptiMOS™ |
IPB77N06S212ATMA1 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Discontinued at Future Semiconductor |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 77A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7 mOhm @ 38A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 93µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 1770pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 158W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | PG-TO263-3-2 |
Csomag / eset | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB77N06S212ATMA1 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | IPB77N06S212ATMA1-FT |
IPB14N03LA
Infineon Technologies
IPB14N03LA G
Infineon Technologies
IPB14N03LAT
Infineon Technologies
IPB156N22NFDATMA1
Infineon Technologies
IPB16CN10N G
Infineon Technologies
IPB17N25S3100ATMA1
Infineon Technologies
IPB200N15N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB200N25N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB22N03S4L15ATMA1
Infineon Technologies
IPB230N06L3GATMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel