itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FQI9N25CTU
Gyártási szám | FQI9N25CTU |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FQI9N25CTU |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | QFET® |
FQI9N25CTU Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 8.8A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430 mOhm @ 4.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.13W (Ta), 74W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | I2PAK (TO-262) |
Csomag / eset | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI9N25CTU Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FQI9N25CTU-FT |
GA03JT12-247
GeneSiC Semiconductor
GA05JT12-247
GeneSiC Semiconductor
GA06JT12-247
GeneSiC Semiconductor
GA10JT12-247
GeneSiC Semiconductor
GA16JT17-247
GeneSiC Semiconductor
GA20JT12-247
GeneSiC Semiconductor
GA20SICP12-247
GeneSiC Semiconductor
GA50JT17-247
GeneSiC Semiconductor
GA50JT12-263
GeneSiC Semiconductor
GA10SICP12-263
GeneSiC Semiconductor