itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / GA05JT12-247
Gyártási szám | GA05JT12-247 |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-GA05JT12-247 |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
GA05JT12-247 Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | - |
Technológia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 5A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 106W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | TO-247AB |
Csomag / eset | TO-247-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA05JT12-247 Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | GA05JT12-247-FT |
IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IRL40T209ATMA1
Infineon Technologies
IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
IAUT165N08S5N029ATMA2
Infineon Technologies
IAUT200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
IAUT240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
IAUT260N10S5N019ATMA1
Infineon Technologies
IAUT300N08S5N012ATMA2
Infineon Technologies
IAUT300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
IPLU250N04S41R7XTMA1
Infineon Technologies