itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FQI9N08TU
Gyártási szám | FQI9N08TU |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FQI9N08TU |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | QFET® |
FQI9N08TU Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Obsolete |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 9.3A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210 mOhm @ 4.65A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Szerelési típus | Through Hole |
Beszállítói eszközcsomag | I2PAK (TO-262) |
Csomag / eset | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI9N08TU Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FQI9N08TU-FT |
GA04JT17-247
GeneSiC Semiconductor
GA50JT12-247
GeneSiC Semiconductor
GA03JT12-247
GeneSiC Semiconductor
GA05JT12-247
GeneSiC Semiconductor
GA06JT12-247
GeneSiC Semiconductor
GA10JT12-247
GeneSiC Semiconductor
GA16JT17-247
GeneSiC Semiconductor
GA20JT12-247
GeneSiC Semiconductor
GA20SICP12-247
GeneSiC Semiconductor
GA50JT17-247
GeneSiC Semiconductor
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel