itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FDN537N
Gyártási szám | FDN537N |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FDN537N |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | PowerTrench® |
FDN537N Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | N-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Ta), 6.5A (Tc) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 465pF @ 15V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 1.5W (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | SuperSOT-3 |
Csomag / eset | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDN537N Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FDN537N-FT |
FDV302P
ON Semiconductor
NDS355AN
ON Semiconductor
2N7002E-T1-E3
Vishay Siliconix
FDN340P
ON Semiconductor
FDV303N
ON Semiconductor
NDS352AP
ON Semiconductor
SI2377EDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2309CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2318DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2323DS-T1-E3
Vishay Siliconix
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel