itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyetlen / FDV302P
Gyártási szám | FDV302P |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-FDV302P |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | - |
FDV302P Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
FET típus | P-Channel |
Technológia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Aktuális - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C | 120mA (Ta) |
A meghajtó feszültsége (max. RDS bekapcsolva, min. Rds bekapcsolva) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs | 0.31nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds | 11pF @ 10V |
FET funkció | - |
Teljesítmény-disszipáció (max.) | 350mW (Ta) |
Üzemi hőmérséklet | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus | Surface Mount |
Beszállítói eszközcsomag | SOT-23 |
Csomag / eset | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDV302P Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | FDV302P-FT |
SI1417EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1419DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1422DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1424EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1426DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1426DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1427EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1428EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1433DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1433DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation