itthon / Termékek / Diszkrét félvezető termékek / Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Single, Pre-Bias / DTC123JMFHAT2L
Gyártási szám | DTC123JMFHAT2L |
---|---|
Jövőbeni cikkszám | FT-DTC123JMFHAT2L |
SPQ / MOQ | lépjen kapcsolatba velünk |
Csomagoló anyag | Reel/Tray/Tube/Others |
sorozat | Automotive, AEC-Q101 |
DTC123JMFHAT2L Állapot (életciklus) | Raktáron |
Részállapot | Active |
Tranzisztor típus | NPN - Pre-Biased + Diode |
Aktuális - gyűjtő (Ic) (max.) | 100mA |
Feszültség - Kollektor-kibocsátó bontás (max.) | - |
Ellenállás - alap (R1) | 2.2 kOhms |
Ellenállás - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC áramerősség (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce telítettség (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Aktuális - Kollektor-levágás (max.) | - |
Frekvencia - Átmenet | 250MHz |
Teljesítmény - Max | 150mW |
Szerelési típus | Surface Mount |
Csomag / eset | SOT-723 |
Beszállítói eszközcsomag | VMT3 |
Származási ország | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC123JMFHAT2L Súly | lépjen kapcsolatba velünk |
Pótalkatrész száma | DTC123JMFHAT2L-FT |
RN1111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1111CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1112ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1112CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1113ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1113CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2101ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2101CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2102CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX45T-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-3FG900C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FFG484C
Xilinx Inc.
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C5AF256I8N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60F1020I6N
Intel